半導体
- 低損失 SiCパワーモジュール
- IGBTモジュール
- DIP型 三相ダイオードブリッジ
- 逆流防止ダイオードモジュール（太陽光発電）
- TMG／SMG 5シリーズ（トライアック／サイリスタ）
- 高速ダイオードモジュール (2 in 1) 【Techno Blockシリーズ】
- ダイオードモジュール
- TO-247 パッケージ サイリスタ
- 半導体総合カタログ（ダイオードモジュール／サイリスタモジュール／トライアック／サイリスタ／ダイオード）
低損失 SiCパワーモジュール
高信頼性と低損失を実現した 1200V耐圧SiC-MOSFETモジュールの量産を開始
～産業用のインバータや電源の小型化と高効率を実現～
【製品の特長】
長期信頼性(※1)の向上と小型化を実現する、独自のTechno Blockパッケージ技術／高速なスイッチングが可能な、インダクタンスを約1/2(従来比)に低減した内部構造／理想的なスイッチングを実現するために、不要なインダクタンスを低減できる／回生ダイオード機能を内蔵した、独自のSiC-MOSFETチップ(DioMOS(Diode integrated MOSFET))を搭載／SiC-MOSの弱点といわれる短絡破壊に対し、装置の安全設計を実現する、業界トップクラスの短絡耐量／実使用時の高効率化を実現する、チップが高温時(150℃)でも変化の少ないオン抵抗特性／高周波駆動時のノイズに対し、誤動作に強い閾値の高いゲート特性(閾値電圧4.0V(Typ.))
※1パワーサイクル耐量 従来比約3倍(従来パッケージとTechno Block技術採用パッケージ比)
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IGBTモジュール
SOT-227パッケージIGBTモジュール GSAシリーズ
小型・高信頼性パッケージ
- 低Vce(sat)タイプと高速スイッチングタイプの２種類をラインアップ
- SOT-227標準パッケージ ・ヒートシンク直接取り付け可能 ・絶縁耐圧2500V
低Vce(sat)タイプ GSA100AA60
高速スイッチングタイプ GSA75AA120
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DIP型 三相ダイオードブリッジ
熱抵抗を大幅に低減する内部構造と銅製放熱板を採用／トランスファーモールドパッケージ採用でパワーサイクル耐量(長期信頼性)向上3倍以上／大電流容量と良好なはんだ付け性を両立する「デュアル端子」を採用／両面マーキングで、実装状態でも製品の識別が可能
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逆流防止ダイオードモジュール（太陽光発電）
太陽光パネルの保護、出力電力低下防止に効果的
●DC450V以下用 DG20AA80 / DG20AA160
●DC600V～750V用 DKA60KB160
●DC1000V用 DKA40AA220
●DC1500V用 製品紹介 / DKA40BA300
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高速ダイオードモジュール (2 in 1) 【Techno Blockシリーズ】
【Techno Block】シリーズは独自の両面はんだ接合、
トランスファーモールド採用の小型・高放熱パッケージの半導体モジュールです。
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ダイオードモジュール
- 低積層構造による高放熱化(低熱抵抗化)を実現
- 内部設計と材料の最適化で20%の軽量化を実現(従来品比)
- 完全Pbフリーはんだを全機種に採用
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TO-247 パッケージ サイリスタ
パッケージ(TO-247)のスペースを最大限に活かせる形状に最適化した新開発チップ搭載
・低損失・サージ電流耐圧向上・熱抵抗低減(高放熱)・非絶縁タイプ
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半導体総合カタログ（ダイオードモジュール／サイリスタモジュール／トライアック／サイリスタ／ダイオード）
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インテリジェントパワーモジュール（IPM）
【NEW】High-Performance CIPOS™ Maxi (1200V、8A/16A(Tc=25℃))
【NEW】Best in Class CIPOS™ Tiny (600V、6A~20A(Tc=25℃))
Ultra compact CIPOS™ Nano (40V/100V/250V/500V、1Ａ~80A(Tc=25℃))
Cost Effective CIPOS™ Micro (250V/500V/600V、1.2A~4.6A(Tc=25℃))
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ワイドバンドギャップ半導体(SiC/GaN)
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